Question
Option 3 : $2.16$ S/cm / $2.16$ सीमेन्स/सेमी
Detailed Solution
सही उत्तर $2.16$ S/cm / $2.16$ सीमेन्स/सेमी है।
prepsnap.in • Part -AQuestion:
A silicon sample at $300$ K is doped with donor atoms at $N_{d} = 1.0 \times 10^{16}~\text{cm}^{-3}$. Taking the electron mobility $\mu_{n} = 1350~\text{cm}^{2}\text{/V-s}$, the hole mobility $\mu_{p} = 480~\text{cm}^{2}\text{/V-s}$ and $n_{i} = 1.5 \times 10^{10}~\text{cm}^{-3}$, the electrical conductivity of the sample is / $300$ केल्विन पर सिलिकॉन के एक नमूने में दाता परमाणुओं का अपमिश्रण $N_{d} = 1.0 \times 10^{16}~\text{सेमी}^{-3}$ है। इलेक्ट्रॉन गतिशीलता $\mu_{n} = 1350~\text{सेमी}^{2}\text{/वोल्ट-से}$, होल गतिशीलता $\mu_{p} = 480~\text{सेमी}^{2}\text{/वोल्ट-से}$ और $n_{i} = 1.5 \times 10^{10}~\text{सेमी}^{-3}$ लेने पर नमूने की विद्युत चालकता है
Correct Answer: $2.16$ S/cm / $2.16$ सीमेन्स/सेमी
For an n-type semiconductor $\sigma = q(N_{d}\mu_{n} + p\mu_{p})$ with $p = n_{i}^{2}/N_{d}$ negligible, so $\sigma \approx 1.602 \times 10^{-19} \times 10^{16} \times 1350 = 2.16$ S/cm. / n-प्रकार के अर्धचालक के लिए $\sigma = q(N_{d}\mu_{n} + p\mu_{p})$, जहाँ $p = n_{i}^{2}/N_{d}$ नगण्य है, अतः $\sigma \approx 1.602 \times 10^{-19} \times 10^{16} \times 1350 = 2.16$ सीमेन्स/सेमी।