Question
Option 3 : tunnel diode / टनल डायोड
Detailed Solution
सही उत्तर tunnel diode / टनल डायोड है।
Question:
A heavily doped p-n junction diode exhibits a region in its forward characteristic where the current decreases as the applied voltage increases. This device is the / एक अतिअपमिश्रित p-n संधि डायोड अपने अग्र अभिलक्षण में ऐसा क्षेत्र दर्शाता है जहाँ आरोपित वोल्टता बढ़ने पर धारा घटती है। यह युक्ति है
Correct Answer: tunnel diode / टनल डायोड
Heavy doping makes the depletion region so thin that quantum tunnelling dominates, producing the tunnel diode's negative-differential-resistance region in forward bias. / अति अपमिश्रण अवक्षय क्षेत्र को इतना पतला कर देता है कि क्वांटम सुरंगन प्रभावी हो जाता है, जिससे अग्र बायस में टनल डायोड का ऋणात्मक-अवकल-प्रतिरोध क्षेत्र उत्पन्न होता है।