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Question

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Answer (Detailed Solution Below)

Option 4 : current gain slightly less than unity with high voltage gain / इकाई से थोड़ी कम धारा लब्धि के साथ उच्च वोल्टता लब्धि

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Detailed Solution

सही उत्तर current gain slightly less than unity with high voltage gain / इकाई से थोड़ी कम धारा लब्धि के साथ उच्च वोल्टता लब्धि है।

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Question:

For a bipolar transistor, the common-base configuration is characterised by / एक द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर हेतु उभयनिष्ठ-बेस विन्यास की विशेषता है

1.
current gain much greater than unity and no voltage gain / इकाई से बहुत अधिक धारा लब्धि और कोई वोल्टता लब्धि नहीं
2.
voltage gain less than unity and very high input impedance / इकाई से कम वोल्टता लब्धि और अत्यधिक उच्च निवेश प्रतिबाधा
3.
both current gain and voltage gain much greater than unity / धारा लब्धि और वोल्टता लब्धि दोनों इकाई से बहुत अधिक
4.
current gain slightly less than unity with high voltage gain / इकाई से थोड़ी कम धारा लब्धि के साथ उच्च वोल्टता लब्धि

Correct Answer: current gain slightly less than unity with high voltage gain / इकाई से थोड़ी कम धारा लब्धि के साथ उच्च वोल्टता लब्धि

In common-base operation the current gain $\alpha = I_{C}/I_{E}$ is just below unity, while the voltage gain $A_{v}$ is large and positive with no phase reversal. / उभयनिष्ठ-बेस प्रचालन में धारा लब्धि $\alpha = I_{C}/I_{E}$ इकाई से थोड़ी कम होती है, जबकि वोल्टता लब्धि $A_{v}$ बड़ी और धनात्मक होती है, बिना कला उत्क्रमण के।

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