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Question

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Answer (Detailed Solution Below)

Option 4 : the rise of the reverse saturation current with temperature, increasing power dissipation / ताप के साथ उत्क्रम संतृप्त धारा में वृद्धि, जिससे शक्ति क्षय बढ़ता है

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Detailed Solution

सही उत्तर the rise of the reverse saturation current with temperature, increasing power dissipation / ताप के साथ उत्क्रम संतृप्त धारा में वृद्धि, जिससे शक्ति क्षय बढ़ता है है।

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Question:

Thermal runaway in a power bipolar transistor is primarily caused by / एक शक्ति द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर में तापीय अपधाव (थर्मल रनअवे) मुख्यतः किसके कारण होता है

1.
the decrease of carrier mobility with rising temperature / बढ़ते ताप के साथ वाहक गतिशीलता में ह्रास
2.
the negative temperature coefficient of the base-emitter voltage alone / केवल बेस-उत्सर्जक वोल्टता के ऋणात्मक ताप गुणांक
3.
the increase of the band gap with temperature / ताप के साथ बैंड अंतराल में वृद्धि
4.
the rise of the reverse saturation current with temperature, increasing power dissipation / ताप के साथ उत्क्रम संतृप्त धारा में वृद्धि, जिससे शक्ति क्षय बढ़ता है

Correct Answer: the rise of the reverse saturation current with temperature, increasing power dissipation / ताप के साथ उत्क्रम संतृप्त धारा में वृद्धि, जिससे शक्ति क्षय बढ़ता है

The leakage current $I_{CBO}$ roughly doubles every $10^{\circ}\text{C}$; the extra $I_{C}$ raises junction temperature further in a cumulative loop, which is thermal runaway. / क्षरण धारा $I_{CBO}$ प्रत्येक $10^{\circ}\text{C}$ पर लगभग दोगुनी हो जाती है; अतिरिक्त $I_{C}$ संधि ताप को और बढ़ाता है, यही संचयी चक्र तापीय अपधाव है।

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